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Vishay推出高效80 V MOSFET,導通電阻與柵極電荷乘積即優值系數達到同類產品最佳水平

類別:新品快報  出處:網絡整理  發布于:2020-02-11 10:42:43 | 856 次閱讀

    Vishay推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8單體封裝的---SiR680ADP,它是80 V TrenchFET 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專門用來提高功率轉換拓撲結構和開關電路的效率,從而節省能源,其導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉換應用中MOSFET的重要優值系數(FOM)為129 mW*nC,達到同類產品最佳水平。

  20200210_SiR680ADP.jpg

  日前發布的器件10 V條件下導通電阻典型值降至2.35 mΩ,超低柵極電荷僅為55 nC,COSS為614 pF。這些改進后的技術規格,經過調校最大限度降低開關、通道導通和二極管導通功耗,從而提高能效。這款MOSFET的導通電阻與柵極電荷乘積優值系數(FOM)比緊隨其后的競爭產品低12.2 %,比前代器件低22.5 %,使其成為典型48 V輸入,12 V輸出DC/DC轉換器最高效的解決方案。

  SiR680ADP可作為模塊用于各種DC/DC和AC/DC轉換應用,如同步整流、原邊開關、降壓-升壓轉換器,諧振回路開關轉換器以及系統OR-ing功能,適用于電信和數據中心服務器電源、太陽能微型逆變器、電動工具和工業設備電機驅動控制、電池管理模塊的電池切換。

  新款MOSFET經過100 % RG和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。

  SiR680ADP現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為12周。


關鍵詞:Vishay電阻

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